Overclockers.ru: Ученые создали новые ячейки памяти, способные работать при температуре до 600 °C

→ Оригинал (без защиты от корпорастов)

Исследователи из Университета Пенсильвании представили прототип памяти, способной работать при температуре до 600 °C, что в два раза выше, чем у существующих альтернатив.

Исследование опубликованное в журнале Nature Electronics предлагает решение для серверной памяти следующего поколения, способное работать при экстремальных температурах до 600 °C. Ученые из Университета Пенсильвании создали прототип памяти на основе ферроэлектрического нитрида алюминия-скандия (AlScN), который остается работоспособным даже при высоких температурах. Это позволяет интегрировать память и обработку данных более тесно, повышая скорость, сложность и эффективность вычислений. Устройства памяти на основе AlScN также преодолевают неэффективность передачи данных между центральным процессором и памятью, что является преимуществом по сравнению с традиционными продуктами. 

Такое решение особенно актуально для массивных систем искусственного интеллекта, которые генерируют огромное количество тепла. Встроенная память, работающая непрерывно даже при высоких температурах, является необходимым условием для поддержания производительности и безопасности данных в крупномасштабных системах. Альтернативные продукты на рынке не обеспечивают такую высокую устойчивость к перепадам температур, что делает исследование более значимым.

Помимо температурных преимуществ, исследователи отмечают, что устройства памяти на основе AlScN могут значительно повысить вычислительную мощность систем. Традиционные продукты на основе карбида кремния не могут сравниться с кремниевыми процессорами в области вычислений с большим объемом данных, таких как искусственный интеллект. Стабильность устройства памяти на основе AlScN открывает новые возможности для разработки компьютерных систем искусственного интеллекта, работающих в более жестких условиях.

Однако, несмотря на потенциальные преимущества исследования, еще рано говорить о будущем стандарте памяти. Фундаментальные изменения в основных используемых слоях материала могут вызвать дополнительные исследования и процессы разработки. Однако, исследование представляет новый подход к проблеме высоких температур в серверной памяти и может стать отправной точкой для дальнейших исследований в этой области.